明年第四代驍龍8平臺(tái)對(duì)于高通來(lái)說(shuō)非常重要，將會(huì)配備融合了NUVIA技術(shù)的定制Oryon內(nèi)核，很可能是其首個(gè)采用3nm工藝制造的芯片，或許還會(huì)帶來(lái)其他方面的升級(jí)，比如引入對(duì)更快、更高效內(nèi)存的支持。

近日有網(wǎng)友透露，高通第四代驍龍8平臺(tái)將支持新一代的LPDDR6，定制的Oryon內(nèi)核帶來(lái)的性能提升可能是高通轉(zhuǎn)向更快內(nèi)存的原因之一，可能會(huì)受益于LPDDR6標(biāo)準(zhǔn)所賦予的更高內(nèi)存帶寬，以更好地發(fā)揮性能潛力。

目前三星的LPDDR5和LPDDR5X之間，存在30%的帶寬差距，同時(shí)還有著20%的功耗差異，而LPDDR6顯然會(huì)更有優(yōu)勢(shì)，對(duì)于旗艦智能手機(jī)而言會(huì)更高效。三星正走在LPDDR6技術(shù)的最前沿，雖然暫時(shí)還不清楚LPDDR6的具體標(biāo)準(zhǔn)或者技術(shù)指標(biāo)。

據(jù)了解，第四代驍龍8的CPU部分將采用2+6架構(gòu)，以兩個(gè)代號(hào)“Nuvia Phoenix”的性能核搭配六個(gè)代號(hào)“Nuvia Phoenix M”的能效核，有泄露的測(cè)試成績(jī)顯示，在Geekbench 5的多線程基準(zhǔn)測(cè)試中的成績(jī)甚至超過(guò)蘋果的M2芯片。

最近有報(bào)道稱，高通未來(lái)驍龍8平臺(tái)或采用雙代工廠策略，分別為臺(tái)積電N3E工藝和三星的3nm GAA工藝，有可能在2024年年初實(shí)現(xiàn)。常規(guī)版本的第四代驍龍8芯片采用臺(tái)積電N3E工藝制造，而三星3nm GAA工藝制造的版本有可能稱為“Snapdragon 8 Gen 4 for Galaxy”，專門用于Galaxy S25系列智能手機(jī)。