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離子注入機(jī)與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和鍍膜設(shè)備并稱為芯片制造的四大核心工藝裝備，也是目前國(guó)產(chǎn)化率非常低的前道工藝設(shè)備。記者近日從青島四方思銳智能技術(shù)有限公司獲悉，思銳智能近年不斷提高自主創(chuàng)新能力，已在今年推出了國(guó)產(chǎn)離子注入設(shè)備，并在近期發(fā)布了高能離子注入機(jī)系列。

據(jù)專業(yè)研究機(jī)構(gòu)調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2022年全球半導(dǎo)體離子注入設(shè)備的市場(chǎng)規(guī)模為206億元，預(yù)計(jì)2023年增至211億元；而2022年中國(guó)大陸的離子注入設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模為66億元，預(yù)計(jì)2023年有望增至74億元，增速高于全球平均值。目前，大束流離子注入機(jī)、高能離子注入機(jī)和中束流離子注入機(jī)分別占據(jù)61%、18%和20%市場(chǎng)份額。

離子注入機(jī)具有極高的進(jìn)入門檻和市場(chǎng)集中度，長(zhǎng)期以來(lái)全球離子注入機(jī)技術(shù)和市場(chǎng)主要被美國(guó)企業(yè)所把控，應(yīng)用材料和亞舍立2家美國(guó)公司占據(jù)了全球90%以上市場(chǎng)份額。2014年印發(fā)的《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》明確指出，要研發(fā)光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、離子注入機(jī)等關(guān)鍵設(shè)備，加快產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，增強(qiáng)產(chǎn)業(yè)配套能力。

思銳智能董事長(zhǎng)聶翔在接受記者采訪時(shí)表示：“市場(chǎng)繁榮增長(zhǎng)的另一面，卻是離子注入機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率僅有約3%，尤其是高能離子注入機(jī)，在離子注入機(jī)當(dāng)中屬于難度最高的機(jī)型，目前國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程幾乎處于空白狀態(tài)。我們希望通過加速離子注入設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化，助力中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)的高質(zhì)量發(fā)展。”

為應(yīng)對(duì)離子注入機(jī)國(guó)產(chǎn)化的迫切需求，思銳智能發(fā)揮整合海外技術(shù)資源優(yōu)勢(shì)，組建了一支海外技術(shù)研發(fā)專家與本土技術(shù)團(tuán)隊(duì)相結(jié)合的核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)，開啟了離子注入設(shè)備的研發(fā)攻關(guān)，并推出高能離子注入機(jī)產(chǎn)品。

聶翔表示，離子注入機(jī)在集成電路制程中的應(yīng)用范圍極為廣泛，涵蓋邏輯存儲(chǔ)、傳感器、射頻器件、特色功率器件等。思銳智能的離子注入機(jī)業(yè)務(wù)將聚焦硅基集成電路先進(jìn)工藝制程，滿足HEI和HCI的國(guó)產(chǎn)化替代需求；迎接以碳化硅為代表的第三代半導(dǎo)體快速發(fā)展趨勢(shì)，拓展系列碳化硅離子注入機(jī)；未來(lái)形成具備全系列離子注入機(jī)產(chǎn)品開發(fā)的能力。

今年6月，思銳智能已經(jīng)推出了公司首款高能離子注入機(jī)SRII-8M設(shè)備；在大束流離子注入機(jī)方面，預(yù)計(jì)將于年底推出公司低能大束流離子注入機(jī)SRII-60。除此之外，在碳化硅功率器件市場(chǎng)，思銳智能計(jì)劃于明年推出公司碳化硅離子注入機(jī)系列。