Intel提出2.0戰(zhàn)略，目標(biāo)四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)，開放代工服務(wù)

因?yàn)楣に噯?wèn)題在產(chǎn)品上受挫后，Intel在新CEO帕特基辛格帶領(lǐng)下，提出了IDM 2.0戰(zhàn)略，不僅修訂了制程路線圖，目標(biāo)四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)，還開放IFS代工服務(wù)，競(jìng)爭(zhēng)臺(tái)積電、三星等。

據(jù)悉，按照Intel相關(guān)人士的說(shuō)法，其埃米級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)20A(2nm)和18A(1.8nm)已經(jīng)流片，也就是設(shè)計(jì)定案，即規(guī)格、材料、性能目標(biāo)等均已完工。

事實(shí)上，Intel此前規(guī)劃20A 2024年上半年投產(chǎn)，18A 2024年下半年投產(chǎn)，流片進(jìn)度說(shuō)來(lái)也算正常。

另一個(gè)振奮的消息是，Intel的代工服務(wù)IFS已經(jīng)有43家潛在合作伙伴正測(cè)試芯片，其中至少7家來(lái)自全球TOP10的代工客戶。

當(dāng)然，在20A和18A之前，Intel還會(huì)推出Intel 4和Intel 3，其中Intel 4由下半年的Meteor Lake(14代酷睿)首發(fā)，全面引入EUV極紫外光刻和新的封裝技術(shù)，Intel 3則主要服務(wù)企業(yè)級(jí)計(jì)算產(chǎn)品。

至于20A的看點(diǎn)則是首發(fā)RibbonFET晶體管和PowerVia背面供電技術(shù)，每瓦性能提升15%。